熱門關(guān)鍵詞: TI/德州儀器國(guó)巨電阻順絡(luò)電感風(fēng)華電容ST/意法半導(dǎo)體
0755-83206860
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,信號(hào)路徑的精確控制直接影響設(shè)備性能。Analog Devices的ADG612YRUZ-REEL7作為一款四通道單刀單擲(SPST)模擬開關(guān),憑借其超低電荷注入和高速切換特性,成為高精度應(yīng)用的理想選擇。以下從核心性能、設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)及典型場(chǎng)景展開分析。
ADG612YRUZ-REEL7屬于ADI的精密模擬開關(guān)系列,專為高頻率信號(hào)切換場(chǎng)景優(yōu)化。其設(shè)計(jì)采用CMOS工藝,集成4個(gè)獨(dú)立SPST通道,每通道支持1:1信號(hào)路由。關(guān)鍵亮點(diǎn)包括:
· 寬電壓兼容性:支持單電源(2.7V~5.5V)或雙電源(±2.7V~±5.5V)供電,適配3V/5V混合系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
· 超低功耗:靜態(tài)電流低至1nA,功耗僅10μW,適用于電池供電設(shè)備。
· 工業(yè)級(jí)可靠性:工作溫度覆蓋-40°C至125°C,滿足汽車電子及工業(yè)環(huán)境需求。
該器件的性能優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在信號(hào)保真度與響應(yīng)速度上:
參數(shù)類別 | 指標(biāo) | 行業(yè)意義 |
導(dǎo)通電阻 | 115Ω(最大值) | 降低信號(hào)衰減,提升傳輸效率 |
電荷注入 | -0.5pC | 減少開關(guān)瞬態(tài)干擾,避免采樣誤差 |
開關(guān)速度 | 開啟65ns / 關(guān)閉40ns | 適用于高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) |
帶寬與隔離度 | 680MHz(-3dB)/-90dB串?dāng)_ | 保障高清視頻和RF信號(hào)完整性 |
通道匹配 | ΔRon 2Ω | 提升多通道同步精度 |
此外,其100pA泄漏電流和5pF溝道電容進(jìn)一步確保了高阻抗電路的穩(wěn)定性。
1. 高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
在ADC前級(jí)信號(hào)路由中,65ns的切換速度可匹配兆級(jí)采樣率,而低電荷注入特性避免采樣保持電路的電壓漂移,提升12位以上ADC的有效精度。
2. 通信與視頻切換
680MHz帶寬支持高清視頻(如HDMI 1.4基帶信號(hào))的無損路由,-90dB串?dāng)_抑制能力消除通道間干擾,適用于多路復(fù)用背板設(shè)計(jì)。
3. 自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備
寬溫域(-40°C~125°C)和TSSOP-16封裝滿足機(jī)架式儀表的密集布板需求,115Ω導(dǎo)通電阻減少對(duì)精密測(cè)量回路的影響。
相較于傳統(tǒng)模擬開關(guān)(如NJU201AM),ADG612YRUZ-REEL7在三個(gè)維度實(shí)現(xiàn)突破:
· 精度優(yōu)勢(shì):電荷注入降低至傳統(tǒng)器件的1/5(典型值1pC),顯著提升采樣系統(tǒng)信噪比。
· 集成度:4通道SPST集成于5mm×4.4mm封裝,比同類DIP封裝節(jié)省70%面積。
· 壽命周期:ADI官方標(biāo)注為Active狀態(tài),保障長(zhǎng)期供貨穩(wěn)定性。
該器件兼容標(biāo)準(zhǔn)16-TSSOP焊盤布局,支持自動(dòng)貼裝工藝。其ESD防護(hù)等級(jí)達(dá)2kV(HBM模型),結(jié)合RoHS認(rèn)證與無鉛工藝,符合綠色制造要求。
通過將超低失真與高密度集成結(jié)合,ADG612YRUZ-REEL7重新定義了精密信號(hào)路徑的管理標(biāo)準(zhǔn),為下一代測(cè)試儀器、醫(yī)療成像及通信設(shè)備提供底層硬件支持。其參數(shù)特性不僅滿足當(dāng)前需求,更為5G和工業(yè)4.0的信號(hào)鏈挑戰(zhàn)預(yù)留技術(shù)冗余。
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