熱門關(guān)鍵詞: TI/德州儀器國巨電阻順絡(luò)電感風(fēng)華電容ST/意法半導(dǎo)體
0755-83206860
NSR0230P2T5G是安森美推出的小信號肖特基二極管,其核心價值在于優(yōu)化能效與空間占用的平衡:
1. 超低正向壓降:僅500mV@200mA,顯著降低導(dǎo)通損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率;
2. 高速開關(guān)性能:肖特基結(jié)構(gòu)幾乎無反向恢復(fù)時間(trr≈0),支持納秒級開關(guān)速度,適用于高頻電路;
3. 微型封裝:SOD-923尺寸不足1mm2,為手持設(shè)備(如TWS耳機(jī)、醫(yī)療傳感器)提供高密度PCB布局可能;
4. 寬溫域可靠性:-55°C至125°C軍工級溫度范圍,通過AEC-Q101認(rèn)證,適應(yīng)汽車電子嚴(yán)苛環(huán)境。
下表總結(jié)了NSR0230P2T5G的核心電氣特性:
參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 | 測試條件 |
直流反向耐壓 (Vr) | 30V (最小值) | - |
平均整流電流 (Io) | 200mA | DC |
正向壓降 (Vf) | 500mV | @200mA |
反向漏電流 (Ir) | 10μA | @10V |
峰值浪涌電流 (IFSM) | 1A | 非重復(fù)脈沖 |
熱阻 (RθJA) | 600°C/W | 結(jié)到環(huán)境熱阻 |
熱管理設(shè)計提示:因封裝尺寸極小(功率耗散上限200mW),需避免持續(xù)大電流導(dǎo)致結(jié)溫超限。建議布局時增加散熱銅箔。
基于其高速、低損耗特性,該器件廣泛應(yīng)用于四大領(lǐng)域:
1. 電源管理模塊
在DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為續(xù)流二極管,例如手機(jī)快充電路的Buck/Boost拓?fù)洌玫蚔f減少能量損失;
2. 信號整流與保護(hù)
用于USB數(shù)據(jù)線、HDMI接口的ESD防護(hù),箝位電壓瞬態(tài)尖峰;
3. 便攜設(shè)備電池系統(tǒng)
在TWS耳機(jī)充電倉中實現(xiàn)反接保護(hù),微型封裝適應(yīng)≤4mm2的PCB區(qū)域;
4. 汽車電子
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適用于車載傳感器電源隔離及CAN總線通信端口保護(hù)。
相較于傳統(tǒng)PN結(jié)二極管(如1N4148),NSR0230P2T5G凸顯三大差異化價值:
· 能效提升:0.5V@200mA正向壓降低于硅二極管(典型0.7V~1.1V),降低50%以上導(dǎo)通損耗;
· 空間節(jié)省:SOD-923面積比SOD-123縮小60%,比DO-214AA縮小85%;
· 高頻適應(yīng)性:無載流子存儲效應(yīng),支持>1MHz開關(guān)頻率(PN二極管通常限100kHz)。
為避免應(yīng)用失效,工程師需重點關(guān)注:
· 電流限制:持續(xù)工作電流勿超200mA,瞬態(tài)浪涌≤1A(單脈沖≤1ms);
· 靜電防護(hù):SMD器件對ESD敏感,操作時需佩戴防靜電手環(huán);
· 焊接工藝:回流焊峰值溫度建議≤260°C(IPC標(biāo)準(zhǔn)),防止封裝熱損傷。
NSR0230P2T5G代表了小功率肖特基二極管微型化與高效化的技術(shù)趨勢,其SOD-923封裝與30V/200mA規(guī)格精準(zhǔn)匹配物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備的嚴(yán)苛需求。安森美在半導(dǎo)體可靠性領(lǐng)域的積淀(AEC-Q101認(rèn)證)進(jìn)一步拓展其在汽車電子市場的滲透潛力,成為空間敏感型設(shè)計的首選整流方案。
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