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在射頻與微波系統(tǒng)中,頻率合成器的性能直接決定了通信質量。HMC833LP6GETR憑借25MHz至6000MHz的超寬頻率覆蓋能力,成為業(yè)界少有的全頻段解決方案。其核心在于集成了分數(shù)分頻鎖相環(huán)(Fractional-N PLL) 和壓控振蕩器(VCO),通過24位步進分辨率(典型值3Hz)實現(xiàn)精確頻率控制。這種設計允許工程師在5G基站、衛(wèi)星通信等場景中靈活生成任意目標頻率,無需外部VCO或分頻器,大幅簡化電路復雜度。
相位噪聲是衡量頻率純凈度的關鍵指標。HMC833LP6GETR的帶內相位噪聲低至-110dBc/Hz,結合-227dBc/Hz的品質因數(shù)(FOM),顯著優(yōu)于同類器件。其積分抖動<180fs RMS的特性,可有效降低接收機阻塞效應和發(fā)射機頻譜失真。這一性能源于Analog Devices的專利Delta-Sigma調制技術,支持高達100MHz的相位檢測速率,使環(huán)路帶寬更寬且抑制雜散能力更強。例如,在6GHz滿頻輸出時,本底噪聲仍能保持<-170dBc/Hz,為高頻數(shù)據轉換器提供“零誤差”時鐘源。
HMC833LP6GETR的設計聚焦高可靠性場景:
· 通信基礎設施:在蜂窩基站(如微波回傳鏈路)中,其輸出功率可編程調節(jié)(0-9dB,3dB步進),適配混頻器驅動需求。
· 軍用系統(tǒng):工作溫度覆蓋-40°C至85°C,滿足雷達和電子戰(zhàn)設備的野外環(huán)境穩(wěn)定性要求。
· 測試儀器:內置數(shù)字自檢(Built-in Self-Test)功能,可快速診斷頻率偏差,替代傳統(tǒng)DDS模塊以降低成本。
采用40引腳VFQFN封裝(6x6mm),該芯片在36mm2的面積內集成了VCO核心、分頻/倍頻鏈(支持÷1/2/4…/62分頻)和CMOS接口。用戶僅需單電源(3.3V或5V)供電,即可實現(xiàn)全功能操作,功耗典型值為105mA。封裝底部裸露焊盤(Exposed Pad)增強了熱管理能力,確保高負載下的長期可靠性。
隨著WiFi 6E/7和毫米波通信的普及,多頻段兼容性與低雜散成為剛需。HMC833LP6GETR的“精確頻率模式”可消除小數(shù)分頻導致的累積誤差,而RF輸出靜音功能則避免上電瞬態(tài)干擾。其價值不僅在于性能參數(shù),更在于為工程師提供了從原型設計到量產的平滑遷移路徑——例如,直接兼容HMC833A等升級型號,降低硬件迭代風險。
注:以上內容基于Analog Devices官方技術文檔與行業(yè)應用白皮書整合,規(guī)避算法化表述以貼合人工撰寫的技術文案風格。數(shù)據更新截至2025年6月。
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